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2SJ268FD

更新时间: 2024-02-29 08:34:09
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 204K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB

2SJ268FD 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.31
其他特性:FAST SWITCHING外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):18 A最大漏源导通电阻:0.11 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ268FD 数据手册

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