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2SJ266

更新时间： 2024-02-05 13:04:11

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		晶体开关晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
3页	92K
描述
Very High-Speed Switching Applications

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2SJ266 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.34
其他特性：	FAST SWITCHING	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ266 数据手册

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与2SJ266相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ266FD	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-263AB	获取价格
2SJ267	SANYO	Very High-Speed Switching Applications	获取价格
2SJ268	SANYO	Very High-Speed Switching Applications	获取价格
2SJ268FD	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-263AB	获取价格
2SJ269	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SJ270	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220AB	获取价格

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