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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.34 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.27 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ267 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ268 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ268FD | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
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| 2SJ269 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB |
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| 2SJ270 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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| 2SJ271 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB |
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