是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.3 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.38 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SJ245(S) | RENESAS | 5A, 60V, 0.38ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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2SJ245(S) | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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2SJ245(S)TL | HITACHI | 5A, 60V, 0.38ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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2SJ245(S)TR | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.38ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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2SJ245L | HITACHI | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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2SJ245S | HITACHI | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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