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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ244

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2SJ244

更新时间： 2024-02-03 11:27:41

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
8页	47K
描述
Silicon P-Channel MOS FET

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2SJ244 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
最大漏源导通电阻：	0.9 Ω	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

2SJ244 数据手册

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2SJ244

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

-4

Pulse Test

-3

-2

-1

-4 V

-2.5 V

V_GS= 0

-0.5

-1.0

0

-2.0

-1.5

Source to Drain Voltage

V

( V )

SD

6

1...3 4 567 8

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与2SJ244相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ244JY	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ244JYTL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ244JYTL	RENESAS	2A, 12V, 0.9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格
2SJ244JYTL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ244JYTR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SJ244JYTR	RENESAS	2A, 12V, 0.9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格

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