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2SD999

更新时间: 2024-09-14 22:49:27
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 225K
描述
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD

2SD999 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.26外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):50
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):130 MHz
Base Number Matches:1

2SD999 数据手册

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