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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | POWER, MINIMOLD PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD999CM-AY | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SD999CM-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD999CM-T1-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,1A I(C),SOT-89 |
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| 2SD999CM-T1-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD999CM-T2 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD999CM-T2-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MI |
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| 2SD999-T1 | RENESAS |
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1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
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| 2SD999-T1CL | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| 2SD999-T1CM | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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| 2SD999-T2CL | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, PL |
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