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2SD999CM

更新时间: 2024-11-06 21:05:55
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日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3

2SD999CM 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:POWER, MINIMOLD PACKAGE-3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):90
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:2 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):130 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

2SD999CM 数据手册

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