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2SD814Q

更新时间: 2024-01-31 12:18:10
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其他 - ETC 晶体晶体管
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2页 98K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-346

2SD814Q 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:150 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):90
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

2SD814Q 数据手册

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