2SD820

更新时间： 2024-09-21 06:18:23

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3页	116K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD820 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

2SD820 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD821

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage ,high speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For color TV horizontal output applications

PINNING(see fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1500

600

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_E

Emitter current

-6

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

12 3

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