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2SD819

更新时间: 2024-09-20 21:55:31
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 98K
描述
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE

2SD819 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3.5 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):8
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

2SD819 数据手册

 浏览型号2SD819的Datasheet PDF文件第2页 
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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