2SD821

更新时间： 2024-01-14 02:38:56

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	116K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD821 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	8	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2SD821 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD821

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High voltage ,high speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For color TV horizontal output applications

PINNING(see fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1500

600

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_E

Emitter current

-6

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-65~150

T_stg

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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