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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD826E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
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| 2SD826F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD826G | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD832 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 50A I(C) | FBASE-R |
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| 2SD833 | FUJI |
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HIGH POWER DARLINGTON |
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| 2SD833 | ISC |
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Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD834 | NJSEMI |
获取价格 |
TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON SWITCHING |
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| 2SD834 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD834 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SD835 | FUJI |
获取价格 |
TRILPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON HIGH VOLTAGE SWITCHING |
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