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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD826G | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD832 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 50A I(C) | FBASE-R |
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| 2SD833 | FUJI |
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HIGH POWER DARLINGTON |
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| 2SD833 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD834 | NJSEMI |
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TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON SWITCHING |
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| 2SD834 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD834 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD835 | FUJI |
获取价格 |
TRILPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON HIGH VOLTAGE SWITCHING |
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| 2SD835 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Darlington Power Transistor |
|
| 2SD835 | NJSEMI |
获取价格 |
NPN |
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