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2SD798_2015

更新时间： 2024-11-12 01:18:51

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon Power Transistors

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2SD798_2015 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon Power Transistors

2SD798

DESCRIPTION

·DARLINGTON

·High voltage

·With TO-220 package

APPLICATIONS

·With switching and igniter applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

LIMITING VALUES

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

MAX

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

600

Open base

300

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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