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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD799_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD799_2015 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD803 | ISC |
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isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor |
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| 2SD803 | PANASONIC |
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SI NPN DIFFUSED JUNCTION MESA |
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| 2SD806 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 650V V(BR)CEO | 50A I(C) |
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| 2SD809 | ETC |
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Audio Frequency Power Amplifier,Low Speed Switching |
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| 2SD811 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-3 |
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| 2SD812 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SD812 | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SD812P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB |
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