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2SD799_15

更新时间： 2024-11-12 01:20:19

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锦美电子 - JMNIC		/
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3页	86K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD799_15 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SD799

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High DC current gain

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·Igniter applications

·High voltage switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

600

Open base

400

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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