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2SD799

更新时间: 2024-02-29 04:47:50
品牌 Logo 应用领域
锦美电子 - JMNIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 43K
描述
Silicon NPN Power Transistors

2SD799 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):6 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD799 数据手册

 浏览型号2SD799的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD799的Datasheet PDF文件第3页 
Product Specification  
www.jmnic.com  
Silicon NPN Power Transistors  
2SD799  
DESCRIPTION  
·With TO-220 package  
·High DC current gain  
·DARLINGTON  
APPLICATIONS  
·Igniter applications  
·High voltage switching applications  
PINNING  
PIN  
DESCRIPTION  
1
Base  
Collector;connected to  
mounting base  
2
3
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol  
Absolute maximum ratings(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
UNIT  
V
600  
Open base  
400  
V
Open collector  
5
V
6
1
A
IB  
Base current  
A
PC  
Collector dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25  
30  
W
Tj  
150  
-55~150  
Tstg  
JMnic  

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