2SD2423GTUR

更新时间： 2024-02-21 18:40:55

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日立 - HITACHI		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
6页	37K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, UPAK-3

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2SD2423GTUR 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.48
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD2423

Silicon NPN Epitaxial, Darlington

Application

Low frequency power amplifier

Features

The transistor with a built-in zener diode of surge absorb.

Outline

UPAK

2, 4

I_D

1. Base

2. Collector

3. Emitter

4. Collector (Flange)

2 kΩ

(Typ)

0.5 Ω

(Typ)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2425	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHIN
2SD2425AB1	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-243VAR
2SD2425-AB1	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2425-AB1	RENESAS	获取价格	5A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2425AB1-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-243VAR
2SD2425-AB1-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SD2425AB1-T1-AY	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SD2425AB1-T2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-243VAR
2SD2425AB2	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-243VAR
2SD2425-AB2	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3