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2SD2425-AB3

更新时间： 2024-09-24 15:32:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	125K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SD2425-AB3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD2425-AB3 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SD2425

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

The 2SD2425 is

a transistor featuring high current

capacitance in small dimension. This transistor is ideal for

DC/DC converters and motor drivers.

FEATURES

• New package with dimensions in between those of small

signal and power signal package

• High current capacitance

• Low collector saturation voltage

• Complementary transistor with 2SB1578

QUALITY GRADES

Electrode connection

1. Emitter

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor

Devices” (Document No. C11531E) published by NEC

Corporation to know the specification of quality grade on the

devices and its recommended applications.

2. Collector

3.Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)

I^B(DC)

P^T

Conditions

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

6.0

5.0

PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %

7.0

1.0

7.5 cm²× 0.7 mm ceramic board mounted

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

2.0

°C

T^j

150

−55 to +150

T^stg

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16157EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2425AB3-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-243VAR
2SD2425AB3-T2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,5A I(C),TO-243VAR
2SD2425-AZ	RENESAS	获取价格	2SD2425-AZ
2SD2426	SANYO	获取价格	Driver Applications
2SD2428	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
2SD2431	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 180V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-247VAR
2SD2432	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2433	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2433TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2434TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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