5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD2391T100Q
2SD2391T100Q PDF预览

2SD2391T100Q

更新时间： 2024-01-27 04:24:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 105K
描述
Medium Power Transistor (60V, 2A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD2391T100Q 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：1.58外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：210 MHzVCEsat-Max：0.35 V
Base Number Matches：1

2SD2391T100Q 数据手册

 浏览型号2SD2391T100Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2391T100Q的Datasheet PDF文件第3页 
Medium Power Transistor (60V, 2A)  
2SD2391  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Low saturation voltage , typically  
VCE (sat) =0.13V at IC / IB =1A /50mA.  
2) Collector-emitter voltage =60V  
3) Pc = 2W (on 40400.7mm ceramic board).  
4) Complements the 2SB1561.  
MPT3  
4.5  
1.6  
1.5  
(1)  
(2)  
(3)  
0.4  
0.5  
3.0  
0.4  
0.4  
1.5  
1.5  
(1)Base  
(2)Collector  
(3)Emitter  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
60  
V
6
V
2
A
Collector current  
I
C
∗
∗
1
2
6
A
0.5  
Collector power dissipation  
PC  
W
2
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 Single pulse, Pw=10ms  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
∗2 When mounted on a 40+ 40+ 0.7mm ceramic board.  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
60  
60  
6
−
−
−
−
−
−
−
−
0.1  
0.1  
0.35  
270  
V
V
I
I
I
C
=50μA  
=1mA  
BVCEO  
BVEBO  
C
V
E
=50μA  
CB=50V  
EB=5V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−
−
120  
μA  
μA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
∗
∗
Collector-emitter saturation voltage  
V
0.13  
IC/IB=1A/50mA  
−
hFE1  
hFE2  
fT  
−
V
V
V
V
CE/I  
C
=−2V/−0.5A  
=−2V/−1.5A  
DC current transfer ratio  
−
45  
−
−
−
210  
21  
−
−
−
CE/I  
C
Transition frequency  
Output capacitance  
MHz  
pF  
CE=2V, I  
CB=10V, I  
E
=−0.5A, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Cob  
E
∗ Measured using pulse current  
Packaging specifications and hFE  
Type  
2SD2391  
MPT3  
Q
Package  
hFE  
Marking  
Code  
DT  
∗
T100  
Basic ordering unit (pieces)  
1000  
Denotes hFE  
∗
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.A  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

中文翻译

下载PDF

与2SD2391T100Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2391T101P ROHM

获取价格

 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2391T101Q ROHM

获取价格

 		2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2391U SWST

获取价格

 		小信号晶体管
2SD2394 ROHM

获取价格

 		Power Transistor
2SD2394 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SD2394 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SD2394 SWST

获取价格

 		功率三极管
2SD2394/DF ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD2394/EF ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD2394/F ROHM

获取价格

 		3A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FN, TO-220FN, 3 PIN

与2SD2391T100Q相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证