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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SD2395/DE
2SD2395/DE PDF预览

2SD2395/DE

更新时间： 2024-11-20 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FN, 3 PIN

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2SD2395/DE 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220FN
包装说明：TO-220FN, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.74
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：25 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：1 VBase Number Matches：1

2SD2395/DE 数据手册

 浏览型号2SD2395/DE的Datasheet PDF文件第2页 
2SD2395  
Transistors  
For Power Amplification (50V, 3A)  
2SD2395  
zStructure  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
TO-220FN  
4.5  
2.8  
10.0  
φ3.2  
zFeatures  
1) Low VCE (sat)  
.
2) Wide SOA.  
1.2  
1.3  
0.8  
2.54  
(1)Base  
2.54  
0.75  
2.6  
(2)Collector  
(3)Emitter  
( ) ( ) ( )  
1 2 3  
zApplications  
Relay drive  
zComplements  
PNP  
NPN  
2SD2395  
DC-DC converter  
Stabilized power supply  
2SB1566  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zPackaging specifications and hFE  
Package  
Taping  
−
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Type  
Code  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
V
h
FE  
Basic ordering unit (pieces)  
500  
50  
V
V
2SD2395  
EF  
5
DC  
I
C
3
A(DC)  
Collector current  
Pulse  
I
CP  
4.5  
A(Pulse)∗1  
W(Ta=25°C)  
W(Tc=25°C)  
°C  
hFE values are classified as follows:  
2
25  
Item  
E
F
Collector power dissipation  
PC  
hFE  
100 to 200 160 to 320  
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 Pw=100ms, Single pulse  
Tj  
150  
Tstg  
°C  
−55 to +150  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
50  
60  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
100  
35  
−
−
−
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
320  
−
V
V
I
I
I
C
=1mA  
C=50µA  
V
E
=50µA  
CB=60V  
EB=4V  
I
CBO  
−
−
−
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
∗1  
∗1  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
CE(sat)  
I
I
C
/I  
/I  
B
=2A/0.2A  
=2A/0.2A  
V
BE(sat)  
V
C
B
hFE  
100  
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE=3V, I  
C
=0.5A  
=−0.5A, f=30MHz  
CB=10V , IE=0A , f=1MHz  
∗1  
Transition frequency  
f
T
−
−
CE=5V, IE  
Collector output capacitance  
∗1 Pulse test  
Cob  
−
1/1  
12

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