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2SD2276Q

更新时间： 2024-01-14 04:26:07

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	71K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-247VAR

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2SD2276Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3LA1
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	7000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2276Q 数据手册

Power Transistors

2SD2276

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

Unit: mm

For power amplification

20.0 0.ꢀ

ꢀ.0 0.ꢁ

(ꢁ.0)

Complementary to 2SB1503

φ ꢁ.ꢁ 0.2

I Features

•

Optimum for 110 W Hi-Fi output

High forward current transfer ratio h_FE: 5 000 to 30 000

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat): < 2.5 V

(1.ꢀ)

2.0 0.ꢁ

2.7 ^0.ꢁ

ꢁ.0 0.ꢁ

1.0 0.2

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.6 0.2

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

ꢀ.4ꢀ 0.ꢁ

160

10.9 0.ꢀ

140

1: Base

2: Collector

3: Emitter

ꢁ

TOP-3L Package

I_C

120

Internal Connection

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

3.5

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= 160 V, I_E= 0

V_CE= 140 V, I_B= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

I_CEO

Emitter cutoff current

I_EBO

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

V_CEO

h_FE1

I_C= 30 mA, I_B= 0

140

V_CE= 5 V, I_C= 1 A

V_CE= 5 V, I_C= 7 A

I_C= 7 A, I_B= 7 mA

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 1 MHz

I_C= 7 A, I_B1= 7 mA, I_B2= −7 mA,

V_CC= 50 V

2 000

5 000

h_FE2

30 000

2.5

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

3.0

2.0

6.0

1.2

MHz

µs

t_on

Storage time

t_stg

µs

Fall time

t_f

µs

Note) : Rank classification

Rank

h_FE2

5 000 to 15 000 7 000 to 21 000 8 000 to 30 000

12 3 4

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与2SD2276Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2276S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-247VAR
2SD2279	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SD2279P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SD2279Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SD2279TV2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2279TV2/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2279TV2/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2279TV2/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2279TV2P	ROHM	获取价格	2000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2279TV2Q	ROHM	获取价格	2000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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