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2SD2276S

更新时间： 2024-01-03 06:51:18

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4页	71K
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TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 140V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-247VAR

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2SD2276S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3LA1
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	7000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2276S 数据手册

Power Transistors

2SD2276

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington

Unit: mm

For power amplification

20.0 0.ꢀ

ꢀ.0 0.ꢁ

(ꢁ.0)

Complementary to 2SB1503

φ ꢁ.ꢁ 0.2

I Features

•

Optimum for 110 W Hi-Fi output

High forward current transfer ratio h_FE: 5 000 to 30 000

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat): < 2.5 V

(1.ꢀ)

2.0 0.ꢁ

2.7 ^0.ꢁ

ꢁ.0 0.ꢁ

1.0 0.2

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.6 0.2

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

Unit

ꢀ.4ꢀ 0.ꢁ

160

10.9 0.ꢀ

140

1: Base

2: Collector

3: Emitter

ꢁ

TOP-3L Package

I_C

120

Internal Connection

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

3.5

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= 160 V, I_E= 0

V_CE= 140 V, I_B= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

I_CEO

Emitter cutoff current

I_EBO

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

V_CEO

h_FE1

I_C= 30 mA, I_B= 0

140

V_CE= 5 V, I_C= 1 A

V_CE= 5 V, I_C= 7 A

I_C= 7 A, I_B= 7 mA

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 1 MHz

I_C= 7 A, I_B1= 7 mA, I_B2= −7 mA,

V_CC= 50 V

2 000

5 000

h_FE2

30 000

2.5

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

3.0

2.0

6.0

1.2

MHz

µs

t_on

Storage time

t_stg

µs

Fall time

t_f

µs

Note) : Rank classification

Rank

h_FE2

5 000 to 15 000 7 000 to 21 000 8 000 to 30 000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2279	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SD2279P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SD2279Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SD2279TV2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2279TV2/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2279TV2/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2279TV2/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD2279TV2P	ROHM	获取价格	2000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2279TV2Q	ROHM	获取价格	2000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2279TV3	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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