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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 290 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2264TV6/R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2264TV6/RS | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2264TV6/S | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD2264TV6Q | ROHM |
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3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2264TV6R | ROHM |
获取价格 |
3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2264TV6S | ROHM |
获取价格 |
3000mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SD2266 | PANASONIC |
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Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching) |
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| 2SD2266O | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2266P | PANASONIC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SD2266Q | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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