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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2067Q
2SD2067Q PDF预览

2SD2067Q

更新时间： 2024-09-15 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, MT-2-A1, 3 PIN

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2SD2067Q 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：4000
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD2067Q 数据手册

 浏览型号2SD2067Q的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD2067 (Tentative)  
Silicon NPN epitaxial planer type  
Unit: mm  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
6.9±0.1  
4.0  
(1.45)  
0.8  
0.7  
For low-frequency output amplification  
0.65 max.  
Features  
Darlington connection.  
■
●
●
High foward current transfer ratio hFE  
.
0.45+–00..015  
●
●
●
Large peak collector current ICP  
High collector to emitter voltage VCEO  
Allowing supply with the radial taping.  
.
2.5±0.5 2.5±0.5  
.
1
2
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Note: In addition to the  
lead type shown in  
1:Emitter  
2:Collector  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
the upper figure, the 3:Base  
type as shown in  
the lower figure is  
also available.  
MT2 Type Package  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
120  
100  
V
5
V
3
A
1.2±0.1  
IC  
2
A
0.65  
max.  
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
+
0.1  
0.45–0.05  
(HW type)  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Internal Connection  
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
C
E
B
≈200Ω  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
CB = 25V, IE = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
V
0.1  
1
IEBO  
VEB = 4V, IC = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Forward current transfer ratio  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = 100µA, IE = 0  
120  
100  
5
I
C = 1mA, IB = 0  
V
IE = 100µA, IC = 0  
VCE = 10V, IC = 1A*2  
IC = 1A, IB = 1mA*2  
IC = 1A, IB = 1mA*2  
V
*1  
hFE  
4000  
40000  
1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
V
2
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE  
Rank  
hFE  
Q
R
S
4000 ~ 10000 8000 ~ 20000 16000 ~ 40000  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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