Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SD2023E

2SD2023E

更新时间： 2024-11-06 13:04:23

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	124K
描述
Transistor

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2SD2023E 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD2023E 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD2023

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB1033

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Low frequency power amplifiers

·Power drivers

·DC-DC converters

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_B

Base current

P_C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-50~150

12 3

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