2SD2025

更新时间： 2024-11-05 21:54:35

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2SD2025 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	30 W
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SD1889	ROHM	类似代替	Power Transistor (120V, -6A)
2SD1855	ROHM	类似代替	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE
2SD2374A	PANASONIC	功能相似	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2025C7	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD2025C7K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD2025K	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
2SD2027	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SD2027Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
2SD2027R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
2SD2027S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
2SD2028	SANYO	获取价格	Low-Frequency Power Amp Applications
2SD2028	KEXIN	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD2028-6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 8V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| SOT-23