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2SD2025C7

更新时间: 2024-11-06 18:46:15
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罗姆 - ROHM 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FP, 3 PIN

2SD2025C7 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220FP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.77外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:100 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):1000
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:30 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD2025C7 数据手册

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