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2SD2025

更新时间： 2024-09-16 07:31:39

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	36K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD2025 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD2025 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD2025

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High DC current gain

·Low saturation voltage

·DARLINGTON

·Complement to type 2SB1344

APPLICATIONS

·For low frequency power amplifier and

power driver applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

100

Open base

100

Open collector

I_CM

Collector current-peak

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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