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2SD1802S(TO251)

更新时间： 2024-11-24 15:26:35

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描述
Transistor

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2SD1802S(TO251) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	140
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SD1802S(TO251) 数据手册

UTC2SD1802 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

HIGH CURRENT SWITCHING

APPLICATION

DESCRIPTION

The UTC 2SD1802 applies to voltage regulators, relay

drivers, lamp drivers, and electrical equipment.

FEATURES

*Adoption of FBET, MBIT processes

*Large current capacity and wide ASO

*Low collector-to-emitter saturation voltage

*Fast switching speed

TO-251

1: BASE 2: COLLECTOR 3: EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ^{(Ta=25°C, unless otherwise specified )}

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Power Dissipation

Tc=25°C

°C

Collector Current(DC)

Collector Current(PULSE)

Junction Temperature

Storage Temperature

Icp

150

TSTG

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain (note)

SYMBOL

ICBO

TEST CONDITIONS

V_CB=40V,I_E=0

MIN TYP MAX UNIT

µA

IEBO

V_EB=4V,I_C=0

V_CE=2V, Ic=100mA

h_FE1

h_FE2

100

560

V_CE=2V, Ic=3A

Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

C-E Saturation Voltage

B-E Saturation Voltage

C-B Breakdown Voltage

C-E Breakdown Voltage

E-B Breakdown Voltage

Turn-on Time

Cob

V_CE=10V,I_C=50mA

V_CB=10V,f=1MHz

I_C=2A,I_B=100mA

I_C=10µA,I_E=0

I_C=1mA,R_BE=∞

I_E=10µA,I_C=0

See test circuit

150

0.19

0.94

MHz

VCE(sat)

VBE(sat)

V(BR)CBO

V(BR)CEO

V(BR)EBO

ton

0.5

1.2

650

Storage Time

Fall Time

tstg

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R213-003,A

12 3 4

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2SD1802S-E	ONSEMI	获取价格	Bipolar Transistor
2SD1802S-TL-E	ONSEMI	获取价格	Bipolar Transistor
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