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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.15 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1803_10 | UTC |
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HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SD1803_15 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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| 2SD1803G-Q-TN3-R | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, H |
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| 2SD1803G-S-TN3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, H |
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| 2SD1803G-X-TM3-T | UTC |
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HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SD1803G-X-TN3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SD1803G-X-TN3-T | UTC |
获取价格 |
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
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| 2SD1803I | FOSHAN |
获取价格 |
TO-251 |
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| 2SD1803L-R-TM3-T | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251, L |
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| 2SD1803L-R-TN3-T | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, L |
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