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2SD1803R(TO-252)

更新时间： 2024-09-23 15:31:51

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Transistor

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2SD1803R(TO-252) 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SD1803R(TO-252) 数据手册

UTC2SD1803 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

HIGH CURRENT SWITCHIG

APPLICATION

APPLICATIONS

The UTC 2SD1803 applies to relay drivers, high-speed

inverters, converters ,and other general high-current

switching applications.

FEATURES

*Low collector-to-emitter saturation voltage.

*High current and high fT.

*Excellent linerarity of h^FE.

*Fast switching time.

TO-252

1: BASE 2: COLLECTOR 3: EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ^{( Ta=25°C )}

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Current(PULSE)

Collector Dissipation

Collector Dissipation(Tc=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

Icp

°C

150

-55 ~ +150

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

SYMBOL

V(BR)CBO

V(BR)CEO

V(BR)EBO

ICBO

TEST CONDITIONS

IC=10µA,IE=0

MIN TYP MAX UNIT

µA

IC=1mA,RBE=∞

IE=10µA,Ic=0

VCB=40V,IE=0

VEB=4V,IC=0

Emitter Cutoff Current

IEBO

DC Current Gain

hFE1

hFE2

Cob

VCE=2V, Ic=0.5A

VCE=2V, Ic=4A

VCE=5V,Ic=1A

VCB=10V,f=1MHz

70*

400*

Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

180

MHz

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R209-014,A

12 3 4

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