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2SD1803

更新时间: 2024-05-23 22:22:03
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蓝箭 - FOSHAN /
页数 文件大小 规格书
6页 1015K
描述
TO-252

2SD1803 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.35外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):5 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):180 MHzBase Number Matches:1

2SD1803 数据手册

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2SD1803  
Rev.E May.-2016  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
TO-252 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.  

特征 / Features  
饱和压降低,电流大,fT 高,极好的放大线性,开关速度快。  
Low VCE(sat), high current and high fT, excellent linearity of hFE, fast switching time.  

用途 / Applications  
用于继电器驱动电路、高速转换电路、大电流开关电路。  
Relay drivers, high-speed inverters, general high-current switching applications.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
4
1
2
3
PIN1Base  
PIN 2,4Collector  
PIN 3Emitter  
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking  
h
FE Classifications  
Q
R
S
T
Symbol  
hFE Range  
70140  
100200  
140280  
200400  
http://www.fsbrec.com  
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