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2SD1784TE12R

更新时间： 2024-09-13 19:57:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 172K
描述
TRANSISTOR 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SD1784TE12R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.8
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：4000JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1.5 V
Base Number Matches：1

2SD1784TE12R 数据手册

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2SD1784  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Darlington)  
2SD1784  
Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications  
Unit: mm  
Switching Applications  
Power Amplifier Applications  
•
•
High DC current gain: h = 4000 (min) (V  
= 2 V, I = 150 mA)  
FE  
CE C  
Low saturation voltage: V  
= 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA)  
CE (sat)  
C
B
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
30  
30  
10  
1.5  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
I
A
C
Base current  
I
mA  
B
P
C
Collector power dissipation  
1000  
mW  
JEDEC  
JEITA  
―
(Note 1)  
SC-62  
2-5K1A  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note 1: 2SD1784 mounted on a ceramic substrate (250 mm2 × 0.8 mm)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
Weight: 0.05 g (typ.)  
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2010-03-10  
12345

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