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2SD1789

更新时间： 2024-11-05 06:17:11

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	224K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1789 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1789

DESCRIPTION

·With ITO-220 package

·Switching power transistor

·DARLINGTON

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (ITO-220) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

200

UNIT

Open base

Open collector

±4

I_CM

Collector current-Peak

Base current

±6

I_B

0.3

I_BM

Base current-Peak

0.5

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

-55~150

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

5.0

ꢀ/W

12 3

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