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2SD1785

更新时间： 2024-09-12 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体稳压器继电器晶体管开关电机驱动局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor, Series Regulator, and General Purpose)

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2SD1785 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220F
包装说明：FM20, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.43其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.08
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：2000JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SD1785 数据手册

  
C
E
Equivalent  
circuit  
B
Darlington 2 S D1 7 8 5  
(2.5kΩ)(200Ω)  
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1258)  
Application : Driver for Solenoid, Relay and Motor, Series Regulator, and General Purpose  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions FM20(TO220F)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
2SD1785  
2SD1785  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
Unit  
µA  
mA  
V
Unit  
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
10max  
120  
VCB=120V  
V
10max  
120  
IEBO  
VEB=6V  
V
120min  
2000min  
1.5max  
100typ  
70typ  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=10mA  
6
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
VCE=2V, IC=3A  
IC=2A, IB=3mA  
VCE=12V, IE=–0.1A  
VCB=10V, f=1MHz  
6(Pulse10)  
1
A
IB  
V
MHz  
pF  
VCE(sat)  
fT  
A
PC  
30(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
Tj  
COB  
±0.15  
1.35  
Tstg  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
(Ω)  
(A)  
(V)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
(mA)  
B
C E  
30  
10  
3
10  
–1.5  
3
–3  
0.5typ  
5.5typ  
1.5typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
(VCE=2V)  
8
6
4
2
0
3
8
6
4
2
0
2
4A  
1
0
0
2
4
6
0.4  
1
2
0.3  
1
5
10  
50 100  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
Base Current IB(mA)  
–
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=2V)  
(VCE=2V)  
5
10000  
10000  
5000  
5000  
1000  
500  
1000  
500  
1
100  
50  
30  
100  
0.5  
1
10  
100  
1000  
0.5  
Collector Current IC(A)  
0.03  
0.1  
1
5
10  
0.03 0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
30  
20  
10  
20  
10  
120  
100  
Typ  
5
1
50  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
0.1  
Without Heatsink  
2
0
0
–0.05  
0.05  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5 –8  
3
5
10  
50  
100  
200  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
137  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1785_01 SANKEN

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 		Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
2SD1787 ETC

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