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2SD1682T

更新时间： 2024-01-28 07:06:38
品牌 Logo 应用领域
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页数 文件大小 规格书
4页 148K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-126

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2SD1682T 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SIP
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.35
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：2.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：280JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

2SD1682T 数据手册

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Ordering number:2063A  
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
2SB1143/2SD1683  
50V/4A Switching Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers,  
electrical equipment.  
2042A  
[2SB1143/2SD1683]  
Features  
· Adoption of FBET, MBIT processes.  
· Low saturation voltage.  
· Large current capacity and wide ASO.  
B : Base  
C : Collector  
E : Emitter  
( ) : 2SB1143  
SANYO :TO-126ML  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
(–)60  
(–)50  
(–)6  
(–)4  
(–)6  
1.5  
V
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
V
EBO  
I
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
A
CP  
P
W
W
˚C  
˚C  
C
Tc=25˚C  
10  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
(–)1  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
V
=(–)40V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=(–)4V, I =0  
(–)1  
EBO  
C
h
h
1
=(–)2V, I =(–)100mA  
C
=(–)2V, I =(–)3A  
C
=(–)10V, I =(–)50mA  
C
100*  
40  
560*  
FE  
FE  
2
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
150  
(39)25  
MHz  
pF  
T
C
=(–)10V, f=1MHz  
ob  
* ; The 2SB1143/2SD1683 are classified by 100mA h as follows :  
FE  
100  
R
200  
140  
S
280  
200  
T
400  
280  
U
560  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
92098HA (KT)/4137KI/D176TA, TS No.2063–1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1682U ETC

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