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2SD1691-G

更新时间： 2022-02-26 12:01:25
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 336K
描述
NPN Plastic-Encapsulate Transistors

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2SD1691-G 数据手册

 浏览型号2SD1691-G的Datasheet PDF文件第2页 
2SD1691-O  
2SD1691-Y  
2SD1691-G  
M C C  
R
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
Features  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Large Collector Current  
·
·
·
NPN  
High Power Dissipation  
Plastic-Encapsulate  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
·
Transistors  
·
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
K
A
Maximum Ratings  
N
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
60  
60  
Unit  
V
V
D
7.0  
V
ꢀ
E
5.0  
1.3  
A
W
M
B
Collector Power Dissipation (T = 25 ℃)  
Collector Power Dissipation (T = 25 ℃)  
Junction Temperature  
a
PC  
20  
W
OC  
OC  
c
ꢀ
ꢀ
TJ  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature  
1
2
3
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
L
G
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100mAdc, IE=0)  
V(BR)CBO  
60  
---  
Vdc  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
---  
V(BR)CEO  
60  
7
Vdc  
Vdc  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=100mAdc, IC=0)  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=50Vdc,IE=0)  
---  
V(BR)EBO  
ICBO  
10  
---  
---  
µAdc  
µAdc  
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=7.0Vdc, IC=0)  
10  
F
Q
DC Current Gain  
hFE-1  
hFE-2  
100  
400  
1.EMITTER  
2.COLLECTOR  
3.BASE  
J
(IC=2.0Adc, VCE=1.0Vdc)  
60  
---  
DC Current Gain  
(IC=0.1Adc, VCE=1.0Vdc)  
DIMENSIONS  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢇꢆ  
DC Current Gain  
hFE-3  
ꢈꢀꢇꢆ  
ꢉꢆ  
ꢍ
ꢇꢀꢁꢆ  
0.291  
0.417  
0.602  
ꢎꢏꢐꢑ4  
0.118  
0.026  
0.046  
0.090TYP  
0.098  
0.083  
0.000  
0.043  
ꢇꢉꢊꢆ  
0.307ꢆ  
0.433  
0.618  
ꢎꢏꢐꢒ1  
0.126  
0.034  
0.054  
ꢇꢀꢁꢆ  
7.40  
10.60  
15.30  
3.90  
3.00  
0.66  
1.17  
2.290TYP  
2.50  
2.10  
0.00  
1.10  
ꢇꢉꢊꢆ  
7.80  
11.00  
15.70  
4.10  
3.20  
0.86  
1.37  
ꢁꢋꢌꢄꢆ  
50  
---  
---  
---  
(IC=5.0Adc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
IC=2.0Adc, IB=0.2Adc)  
VCE(sat)  
0.3  
1.2  
Vdc  
Vdc  
ꢂꢆ  
ꢈꢆ  
ꢄꢆ  
ꢓ
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC=2.0Adc,IB=0.2Adc)  
Turn ON Time  
Storage Time  
Fall Time  
VBE(sat)  
ton  
tstg  
tf  
ꢔ
VCC = 10V, IC = 2A ,  
IB1=-IB2=0.2A, RL=5Ω  
ꢕꢆ  
ꢖꢆ  
0.114  
2.90  
L
M
N
0.091  
0.012  
0.059  
2.30  
0.30  
1.50  
CLASSIFICATION OF hFE(1)  
Q
0.018  
0.024  
0.45  
0.60  
RANK  
O
Y
G
100-200  
160-320  
200-400  
RANGE  
www.mccsemi.com  
2016/01/31  
Revision: A  
12

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