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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1684T | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1685 | SANYO |
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High-Current Switching Applications |
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| 2SD1685E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1685F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1685G | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1691 | UTC |
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LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE LARGE CURRENT |
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| 2SD1691 | NEC |
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NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1691 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1691 | TGS |
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It is intented for use in power amplifier and switching applications. |
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| 2SD1691 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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