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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 12 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 140 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1670 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| 2SD1671 | ETC |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Darlington Transistor Low Speed High Current Switching Industrial Us |
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| 2SD1672 | ETC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR |
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| 2SD1676 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon NPN with Internal Resistance |
|
| 2SD1676 | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
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| 2SD1676RF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
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| 2SD1676RF | RENESAS |
获取价格 |
600mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
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| 2SD1676RR | RENESAS |
获取价格 |
600mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
|
| 2SD1676TZ | RENESAS |
获取价格 |
600 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
|
| 2SD1677 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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