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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.62 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD1676RF | HITACHI | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3 |
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| 2SD1676RF | RENESAS | 600mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
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| 2SD1676RR | RENESAS | 600mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
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| 2SD1676TZ | RENESAS | 600 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPAK-3 |
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| 2SD1677 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1677 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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