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2SD1679S

更新时间： 2024-09-25 20:05:35

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	182K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 23V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, SC-59, 3 PIN

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2SD1679S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	23 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1679S 数据手册

Transistor

2SD1679

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

2.8 ⁺^–0⁰^.^.³²

1.5 ⁺^–0⁰^.^.⁰²⁵⁵

0.65±0.15

Features

0.65±0.15

■

●

18V zener diode is built in between collector and base.

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

High foward current transfer ratio h_FE

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

0.1 to 0.3

0.4±0.2

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

18±5

1:Base

JEDEC:TO–236

EIAJ:SC–59

Mini Type Package

2:Emitter

3:Collector

0.5

I_C

Marking symbol : N

Internal Connection

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

200

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CB= 5V, I_E= 0

100

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 10µA, I_E= 0

I_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 0.5A^*2

I_C= 0.5A, I_B= 20mA^*2

I_C= 0.5A, I_B= 50mA^*2

V_CB= 10V, I_E= –30mA, f = 200MHz

200

800

0.4

1.2

Forward current transfer ratio

h_FE

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

0.13

0.92

170

Transition frequency

f_T

MHz

^*2Pulse measurement

Rank classification

Rank

h_FE

200 ~ 350

300 ~ 500

400 ~ 800

Marking Symbol

12 3

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与2SD1679S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1679TMG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 13V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1680	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1680	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1681	SANYO	获取价格	18V/1.2A Switching Applications
2SD1681Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 18V V(BR)CEO \| 1.2A I(C) \| TO-126
2SD1681R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 18V V(BR)CEO \| 1.2A I(C) \| TO-126
2SD1681S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 18V V(BR)CEO \| 1.2A I(C) \| TO-126
2SD1681T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 18V V(BR)CEO \| 1.2A I(C) \| TO-126
2SD1682	SANYO	获取价格	50V/2.5A High-Speed Switching Applications
2SD1682R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 2.5A I(C) \| TO-126

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