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2SD1430

更新时间： 2024-11-11 06:26:19

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
3页	92K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1430 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1430 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1430

DESCRIPTION

·With TO-3P(H)IS package

·High voltage ,high speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Designed for use in color TV horizontal

output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

Absolute maximum ratings (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1500

600

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

3.5

I_E

Emitter current

-3.5

P_D

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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