2SD1436

更新时间： 2024-01-04 02:16:09

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	221K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD1436 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1436 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1436

DESCRIPTION

·High DC Current Gain

: h_FE= 1000(Min.)@ I_C= 5A, V_CE= 3V

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 120V(Min)

·Complement to Type 2SB1032

APPLICATIONS

·Designed for power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

120

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SD1436(K)	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-247VAR	获取价格
2SD1436K	HITACHI	Silicon NPN Triple Diffused	获取价格
2SD1436K	RENESAS	10A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR	获取价格
2SD1436K-E	RENESAS	10A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR	获取价格
2SD1437	Wing Shing	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)	获取价格
2SD1437	ISC	isc Silicon NPN Power Transistor	获取价格