Datasheet > 2SD1436K

2SD1436K

更新时间： 2024-10-02 20:20:39

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1436K 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD1436(K)

Silicon NPN Triple Diffused

Application

Power switching complementary pair with 2SB1032(K)

Outline

TO-3P

1. Base

2. Collector

(Flange)

1.5 kΩ

130 Ω

3. Emitter

(Typ)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1436K-E	RENESAS	获取价格	10A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD1437	Wing Shing	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
2SD1437	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2SD1437D	ISC	获取价格	Transistor
2SD1437DY2	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD1437E	ISC	获取价格	Transistor
2SD1437F	ISC	获取价格	Transistor
2SD1437FY2	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD1437Y2	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SD1438	TOSHIBA	获取价格	SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)