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2SD1368CCTR

更新时间: 2024-11-11 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
6页 96K
描述
1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3

2SD1368CCTR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.17
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):250JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SD1368CCTR 数据手册

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2SD1368  
Silicon NPN Epitaxial  
REJ03G0786-0200  
(Previous ADE-208-1148)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency power amplifier  
Complementary pair with 2SB1002  
Outline  
RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A  
(Package name: UPAK R  
)
1
2
1. Base  
3
2. Collector  
3. Emitter  
4. Collector (Flange)  
4
*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Collector peak current  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
Ratings  
Unit  
100  
50  
6
1
V
V
V
A
VEBO  
IC  
1
iC(peak)  
PC*2  
Tj  
*
1.5  
1
150  
–55 to +150  
A
W
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
Notes: 1. PW 10 ms, Duty cycle 20%  
2. Value on the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm)  
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

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