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2SD1378P

更新时间： 2024-11-11 20:43:11

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无锡固电 - ISC		/
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2页	233K
描述
Transistor

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2SD1378P 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1378P 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1378

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 80V(Min)

·Low Saturation Voltage -

: V_CE(sat)= 0.4V(Max)@ I_C= 0.5A

·Complement to Type 2SB1007

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

0.7

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.2

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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