2SD1378Q

更新时间： 2024-11-11 12:59:27

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	227K
描述
Transistor

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2SD1378Q 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SD1378Q 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1378

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 80V(Min)

·Low Saturation Voltage -

: V_CE(sat)= 0.4V(Max)@ I_C= 0.5A

·Complement to Type 2SB1007

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

0.7

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.2

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SD1380	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1380	ROHM	获取价格	2SD1380
2SD1380	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1380/P	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
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2SD1380/R	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/