2SD1051

更新时间： 2024-11-23 22:35:55

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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification)

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2SD1051 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1051 数据手册

Transistor

2SD1051

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SB819

Unit: mm

6.9±0.1

2.5±0.1

1.5

1.5 R0.9

1.0

R0.9

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

Large collector power dissipation P_C.

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R0.7

0.85

0.55±0.1

0.45±0.05

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

2.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

I_C

1.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 20V, I_E= 0

V_CE= 10V, I_B= 0

V_EB= 5V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

I_CEO

100

Emitter cutoff current

I_EBO

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Forward current transfer ratio

V_CBO

V_CEO

I_C= 1mA, I_E= 0

I_C= 2mA, I_B= 0

h_FE

_CE= 5V, I_C= 1A^*2

120

220

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 1.5A, I_B= 0.15A^*2

I_C= 2A, I_B= 0.2A^*2

1.5

Transition frequency

f_T

V_CB= 5V, I_E= –0.5A^*2, f = 200MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= 20V, I_E= 0, f = 1MHz

^*2Pulse measurement

Rank classification

Rank

h_FE

80 ~ 160

120 ~ 220

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