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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1055R | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3 PI |
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| 2SD1060 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1060 | UTC |
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NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1060 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1060 | SANYO |
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50V/5A Switching Applications |
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| 2SD1060 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1060_08 | UTC |
获取价格 |
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| 2SD1060_12 | SANYO |
获取价格 |
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 5A Switching Applications |
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| 2SD1060_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1060_2015 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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